據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
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SK海力士 1c納米 DRAM
三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
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?三星 Galaxy S25 內存 美光 DRAM LPDDR5X
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季進入淡季循環，DRAM市場因智能手機等消費性產品需求持續萎縮，加上筆記本電腦等產品因擔心美國可能拉高進口關稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產品，價格預計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價格反
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DRAM TrendForce 集邦咨詢
12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
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美國 美光科技 生產芯片 半導體 DRAM 內存芯片 存儲芯片
摘要隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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泛林集團 DRAM
DRAM產業歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規劃，預估2025年整體DRAM產業位元產出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產業結構越趨復雜，除現有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer
DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK
hynix（SK海力士）因HBM產品
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DRAM TrendForce 集邦咨詢
近日，北京君正在接受機構調研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續還會繼續進行更新工藝的產品研發。關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業和醫療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產品價格方面，北京君正的存儲產品主要面向行業市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業市場存儲價格高點是2022年，2
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北京君正 21nm DRAM
11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業界早在至少半年前就知道，在英特爾的
roadmap 上，后續的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther
Lake 與 Wildcat La
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郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
TrendForce指出，隨著AI服務器持續布建，高帶寬內存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產品的三至五倍，待下一代HBM3e量產，加上產能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續布建AI服務器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環，帶動HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
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HBM DRAM TrendForce
三星電子今日宣布，已成功開發出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數據傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域，例如數據中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統應用領域之外的應用范圍。三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買，市場持續萎縮。此一現象，導致以消費型產品為主的內存現貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰。內存產業雖一向受周期因素影響，但202
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TrendForce 內存 DRAM
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
根據TrendForce集邦咨詢調查，受惠主流產品出貨量擴張帶動多數業者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內存）產業營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional
DRAM（一般型內存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
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DRAM TrendForce 集邦咨詢
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系
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imec High-NA EUV DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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